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| 產品名 | 產品代號 | 特點 |
|---|---|---|
| 酸性清潔劑 | HDQ-201 | HDQ-201清潔劑是針對細線路、小孔徑之高密度配線板所開發之硫酸型酸性清潔劑，使用特殊之界面活性劑，水洗性良好,具有良好之清潔力，不攻擊電路板的防焊油墨及影響干膜，可強力去除銅面氧化，對銅線路表面具有清潔及活化作用。 |
| 酸性清潔劑 | HDQ-202 | HDQ-202是一種酸性清潔劑，可去除銅表面的氧化物及輕微油脂、手指印，提供最佳清潔的銅表面及潤濕性，有助于獲得均勻微蝕前處理表面及有效增強鍍層附著力，且不會攻擊經硬化的干膜, 并可去除顯影不潔所殘留的有機物，留下更有益于電鍍的活化性表面。 |
| 觸媒活化劑 | HDQ-205 | HDQ-205P/HDQ-205是一種傳統的，卻有非常優異功能的硫酸鈀型觸媒活化劑。 HDQ-205P針對市面上同類型產品對銅面、防焊綠漆及基板樹脂攻擊之缺點加以改善，一并解決活化槽液中的銅離子濃度上升太快，架橋滲鍍、單點露銅或陰陽色差等問題。HDQ-205P/HDQ-205 為新型錯合物活化劑，對于銅面具有相當程度的保護功能，并以錯合置換法，將鈀均勻地置換在銅表面上。對于HDI高密度細線路制程，其信賴度優于其它同類型產品。 |
| 觸媒活化劑 | HDQ-205P | |
| HDQ-207系列 | ||
| 化學鎳 |
HDQ-207A HDQ-207B HDQ-207C HDQ-207D HDQ-207M |
由于HDQ-207使用磷酸鹽作為還原劑，故其鍍層為鎳/磷合金所組成，鍍層磷含量在作業過程中可保持穩定的比例，一般而言其鍍層成分范圍如下（0～4 MTO）： Ni= 93 ± 1% （重量百分率） P = 7 ± 1% （重量百分率） 在標準作業條件下，鎳層析出速度為6~8μinch/min |
| HDQ-208系列 | ||
| 化學鎳 |
HDQ-208A HDQ-208B HDQ-208C HDQ-208D HDQ-208M |
由于HDQ-208使用次磷酸鹽作為還原劑，故其鍍層為鎳/磷合金所組成，鍍層磷含量在作業過程中可保持穩定的比例，一般而言其鍍層成分范圍如下（0～4 MTO）： Ni = 92 ± 2%（重量百分率） P = 8 ± 2%（重量百分率） 在標準作業條件下，鎳層析出速度為7~9μinch/min |
| HDQ-209系列 | ||
| 化學鎳 |
HDQ-209A HDQ-209B HDQ-209C HDQ-209D HDQ-209M |
鍍層耐藥性高,特別是經過OSP 藥液處理也很難腐蝕. 因干膜溶出而引起的析出速度降低和皮膜特性惡化的情況極少由于HDQ-209使用次磷酸鹽作為還原劑，故其鍍層為鎳/磷合金所組成，鍍層磷含量在作業過程中可保持穩定的比例，一般而言其鍍層成分范圍如下（0～4 MTO）： Ni = 91 ± 2%（重量百分率） P = 9 ± 2%（重量百分率） 在標準作業條件下，鎳層析出速度為6~8μinch/min |
| HDQ-308系列 | ||
| 化學鎳 |
HDQ-308A HDQ-308B HDQ-308C HDQ-308M |
HDQ-308為一弱酸性鎳/磷合金化學鎳鍍液，鍍層中的磷含量較高，耐蝕能力強,適合于印刷電路板之細線路的表面處理，對綠漆及干膜之攻擊性低，與硬板及軟板之兼容性佳，具有穩定磷含量及浴安定性。 由于HDQ-308使用次磷酸鹽作為還原劑，故其鍍層為鎳/磷合金所組成，在持續生產過程中,鍍層磷含量可保持穩定，一般而言其鍍層成份組成如下（0～4 MTO）： Ni = 90 ± 2%（重量百分率） P = 10 ± 2%（重量百分率） 在84℃條件下，HDQ-308藥水的鎳層析出速度為6-9μinch/min |
| HDQ-150系列 | ||
| 化學鎳 |
HDQ-150A HDQ-150B HDQ-150C HDQ-150D HDQ-150M |
HDQ-150系列為一酸性鎳/磷合金化學鎳鍍液，具有良好的啟鍍能力及優異的浴安定性，鍍層皮膜磷含量穩定，結晶致密而且耐蝕性優良。其鎳磷合金層有良好的平整性及撓折性，特別適合于FPC低應力鍍膜嚴苛要求下的高延展性化學鍍鎳金配套藥水，滿足客戶在焊錫性、打線性能、低表面電阻等多項功能要求。一般而言其鍍層成份組成如下（0～4 MTO）： Ni = 92 ± 2%（重量百分率） P = 8 ± 2%（重量百分率） 在84℃條件下，鎳層析出速度為6-8μinch/min |
| 化學金 | HDQ-60 | HDQ-60為置換型化學薄金具有良好的金覆蓋性，可有效地保護鎳層。因此面對SMT表面黏裝時，搭配HDQ-60藥水的化學鎳層具有非常優異之焊錫潤濕性。 |
| HDQ-61 | HDQ-61為置換型之浸鍍無電解金，適用于半導體、印刷電路板與連接器之無電解鎳金制程，及一般電子零組件無電解金制程。其工藝原理為應用離子電位置換法，進行浸鍍，可在鎳上鍍出0.1um之化學金層。 | |
| HDQ-80 | HDQ-80 是為有利于SMT與芯片封裝而特別設計的半置換半還原型化學金鍍液，因此在鍍金之前，在基材上實行充分的鎳沉積是必需的(4μm以上為佳),可在鎳上鍍出1um之化學金層。 | |
| 化學厚金 | HDQ-71 | 此化學厚金HDQ-71是為了滿足金厚在3-8μ〞的要求而最新開發之新型化學金。鍍層最厚可達10μ〞﹐也可用于普通之薄金要求。做中厚金(5-8μ〞)時﹐建議使用HDQ-208/HDQ-209鍍4μm以上的鎳層。 |
